Fundamental data
Internal registration numberIMiO/2011/NCN/5
Project StatusImplemented
Project typeProjects financed by NSC [Projekty finansowane przez NCN]
Project type / Program / Subprogram/ edition/contest (POL-on)projekt naukowy finansowany przez Narodowe Centrum Nauki (05)
Implementing unit from WUTThe Institute of Microelectronics and Optoelectronics (FEIT / MO) (Faculty of Electronics and Information Technology (FEIT))
Title in PolishTechnologia i charakteryzacja ultracienkich warstw krzemu wytwarzanych metodą PECVD na potrzeby struktur nanoelektronicznych
Title in Englishxxx
Agreement numberUMO-2011/03/B/ST7/02595
Decision numberDEC-2011/03/B/ST7/02595
Other identifiers2011/03/B/ST/02595
Beginning date30-08-2012
Planned end date29-08-2015
Project duration (in months)0
Project subject classFundamental research
Cooperation leveldomestic
Related publications (14)
Application, Call
Application date22-12-2011
Leaders, executors
Project leader Romuald Beck (FEIT / MO)
Romuald Beck,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Implementing person Romuald Beck (FEIT / MO)
Romuald Beck,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Lidia Łukasiak (FEIT / MO)
Lidia Łukasiak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Bogdan Majkusiak (FEIT / MO)
Bogdan Majkusiak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Jakub Walczak (FEIT / MO)
Jakub Walczak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Robert Paweł Mroczyński (FEIT / MO)
Robert Paweł Mroczyński,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Andrzej Igor Mazurak (FEIT / MO)
Andrzej Igor Mazurak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Jakub Maciej Jasiński (FEIT / MO)
Jakub Maciej Jasiński,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Jan Gibki (FEIT / MO)
Jan Gibki,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Sławomir Szostak (FEIT / MO)
Sławomir Szostak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Agnieszka Zaręba (FEIT / MO)
Agnieszka Zaręba,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Total number of implementing persons0
Financing / commissioning institutionNational Science Centre (NCN)
Consortium, partners
POL-on specific
Implementation, finances
Finances
Descriptions, keywords
Keywords in Polishnanoelektronika krzemowa, technologia krzemowa, PECVD, przyrządy kwantowe
Keywords in English-
Aim in PolishCelem podstawowym niniejszej pracy jest wszechstronne zbadanie możliwości zastosowania procesu osadzania ultracienkich warstw krzemu metodą PECVD, który pozwolił by uzyskać właściwości nietylko samej warstwy, ale także jej bezpośredniego otoczenia - dwóch warstw barierowych (izolacyjnych), umożliwiające zastosowanie ich w nowoczesnych krzemowych strukturach nanoelektronicznych.
Aim in English-
Description in PolishW ramach projektu planowane jest przeprowadzenie optymalizacji procesu PECVD krzemu w celu uzyskania akceptowalnej kontroli nad szybkością wzrostu tej warstwy (ze względu na oczekiwane grubości warstwy konieczne jest uzyskanie bardzo wolnego wzrostu) przy jednoczesnym uzyskaniu możliwie najlepszych jej właściwości. Poszukiwane będą także związki między zastosowanymi procesami (i ich parametrami) wytwarzania obu warstw barierowych i parametrami krytycznymi dla poprawnego działania nano-przyrządów, których działanie oparte jest na takim układzie (struktury wykorzystujące efekty tunelowania, tunelowania rezonansowego, blokady kulombowskiej, czy 3D kropki kwantowe). Przeanalizowany zostanie także wpływ procesów wysokotemperaturowych, w tym wygrzewania i/lub utleniania termicznego, które mogą być wykorzystywane z jednej strony do poprawy właściwości warstw i ich warstw powierzchni granicznych, ale także do celowego budowania 3D kropek kwantowych w osnowie dielektrycznej. Wytwarzane w trakcie realizacji projektu struktury analizowane będą głównie metodami elektrycznymi, z wykorzystaniem specjalnie do tego celu zaprojektowanych struktur testowych. Porównanie różnego rodzaju struktur testowych ze strukturami referencyjnymi wykonywanymi w tych samych lub takich samych procesach technologicznych pozwolą na uzyskanie oceny właściwości elektrofizycznych kluczowych dla zastosowań do nanoelektronicznych przyrządów krzemowych. Z analizy pomiarów prądowo-napięciowych i pojemnościowo-napięciowych (także impedancyjnych) realizowanych w szerokim zakresie temperatur i częstotliwości, w oparciu o posiadane modele teoretyczne uzyskiwać będziemy informacje m.in. o: mechanizmach transportu nośników ładunku, ich ruchliwości, gęstości i lokalizacji (w przestrzeni i w domenie energii) stanów pułapkowych i innych nieskompensowanych ładunkach, odporności na stresy napięciowe i zjawiskach przebicia. Szczególna uwaga zwrócona zostanie na poszukiwanie efektów związanych z procesami tunelowania rezonansowego, blokady kulombowskiej, obecności kropek kwantowych, czy przeładowywania stanów pułapkowych (które można wykorzystać do zbudowania komórki pamięciowej nano-flash). Prowadzone także będą różnymi metodami (głównie: elipsometria spektroskopowa, HRTEM, SIMS i XPS) badania składu i struktury, które pozwolą powiązać obserwowane różnice lub zmiany zachowania elektrycznego badanych układów (np. pod wpływem procesów średnio- i wysokotemperaturowych)ze zmianami lub różnicami w strukturze warstw lub ich geometrii (np. grubości).
Description in English-
Expected results in Polish W wyniku tego projektu uzyskana zostanie zatem wiedza na temat możliwych pól zastosowań ultracienkich warstw krzemowych wytwarzanych metodą PECVD – czyli typów przyrządów nanoelektronicznych, w wytwarzaniu których taki proces mógłby znaleźć zastosowanie. Z drugiej strony, poznany zostanie zakres możliwych zmian właściwości elektrofizycznych takich warstw i opartych na nich struktur, co pozwoli na bardziej realistyczne modelowanie i symulację pracy wykorzystujących je nano-przyrządów półprzewodnikowych, przyczyniając się do przyśpieszenia postępu także w zakresie prac teoretycznych i projektowania takich przyrządów. W konsekwencji, opracowanie takiej technologii w oparciu o proces PECVD oraz uzyskana w toku realizacji tego projektu wiedza na temat przemian zachodzących w takich warstwach może znacznie skrócić drogę struktur nanoelektronicznych od wstępnego opracowania do etapu produkcji. Z tego powodu, wyniki tej pracy będą bardzo interesujące nie tylko dla środowiska naukowego, ale także, w dalszej perspektywie, dla przemysłu.
Expected results in English-
Offer for applications in Polish-
Offer for applications in English-
Application arearesearch, industry
Links, other files
Related publications (14)

Full data (no tabs)

Get link to the record

Back
Confirmation
Are you sure?