Knowledge base: Warsaw University of Technology

Settings and your account

Back

A research on optoelectronic properties of solar cell Zno/CdS/CuIn1-xGaxSe2 with different content of galium

Maciej Grzegorz Gendaszewski

Abstract

Nowadays, the need for electricity continues to increase year-on-year. Over the years, the renewable energy sources become more and more important. In my bachelor thesis I focus on solar cells, which convert energy directly from the sun. CIGS thin-film cells based on Cu(In,Ga)〖Se〗_2 are predisposed to replace silicon cells, which are nowadays available on the market. The greatest advantage of the use of those thin-film solar cells is simple manufacturing technology, which guarantees lower prices of cells production. In my bachelor thesis I compare the optoelectronic properties of three CIGS samples, which contain different amounts of gallium. The gallium content is the only variable, the absorber layer and the buffer layer remain identical. Based on the analysis of light and dark current-voltage characteristics and quantum efficiency, I compare different parameters defining efficiency of solar cells, mechanisms of charge carriers transport and calculate the band gap of energy absorber in the investigated cells.
Diploma type
Engineer's / Bachelor of Science
Diploma type
Engineer's thesis
Author
Maciej Grzegorz Gendaszewski (FP) Maciej Grzegorz Gendaszewski,, Faculty of Physics (FP)
Title in Polish
Badanie właściwości optoelektronicznych struktur fotowoltaicznych Zno/CdS/CuIn1-xGaxSe2 o różnej zawartości galu
Supervisor
Aleksander Urbaniak (FP/SD) Aleksander Urbaniak,, Semiconductors Division (FP/SD)Faculty of Physics (FP)
Certifying unit
Faculty of Physics (FP)
Affiliation unit
Semiconductors Division (FP/SD)
Study subject / specialization
, Fotonika
Language
(pl) Polish
Status
Finished
Defense Date
23-06-2016
Issue date (year)
2016
Reviewers
Aleksander Urbaniak (FP/SD) Aleksander Urbaniak,, Semiconductors Division (FP/SD)Faculty of Physics (FP) Marek Pawłowski (FP/SD) Marek Pawłowski,, Semiconductors Division (FP/SD)Faculty of Physics (FP)
Keywords in Polish
Ogniwo słoneczne, półprzewodnik, cienkowarstwowe ogniwa CIGS, charakterystyka I-V, rekombinacja, tunelowanie, wydajność kwantowa, przerwa energetyczna.
Keywords in English
Solar cell, semiconductor, CIGS thin-film, curve I-V, recombinaction, tunneling, quantum efficiency, energy band gap.
Abstract in Polish
W dzisiejszym świecie zapotrzebowanie na energię elektryczną jest z roku na rok coraz większe. Z biegiem lat na znaczeniu zyskują odnawialne źródła energii. Jednym z nich są ogniwa słoneczne, które przetwarzają energię prosto ze słońca. Cienkowarstwowe ogniwa CIGS oparte o Cu(In,Ga)〖Se〗_2 mają duże predyspozycje do zastąpienia ogniw krzemowych dostępnych na rynku. Największą ich zaletą jest wykorzystanie nieskomplikowanej technologii wytwarzania dzięki czemu mają one potencjał do osiągnięcia bardzo niskich cen. W pracy inżynierskiej porównano właściwości optoelektroniczne 3 próbek CIGS o różnej zawartości galu. Należy powiedzieć iż była to jedyna zmienna, warstwa absorbera oraz buforowa pozostały identyczne. Na podstawie analizy jasnych i ciemnych charakterystyk prądowo-napięciowych oraz wydajności kwantowej, porównano parametry fotowoltaiczne określające wydajność badanych ogniw, mechanizmy transportu nośników ładunku oraz wyznaczono wartości przerw energetycznych absorberów w badanych ogniwach.
File
  • File: 1
    inz_final.pdf
Request a WCAG compliant version
Local fields
Identyfikator pracy APD: 12480

Uniform Resource Identifier
https://repo.pw.edu.pl/info/bachelor/WUTd80a6912581c421aa43aa9e8b5ab493f/
URN
urn:pw-repo:WUTd80a6912581c421aa43aa9e8b5ab493f

Confirmation
Are you sure?
Report incorrect data on this page