Baza wiedzy: Politechnika Warszawska

Ustawienia i Twoje konto

Powrót

Extraction of Selected Parameters of MOS Capacitors from C-V Characteristics

Sangho Lee

Abstract

This work is devoted to electrical characterization of MOS capacitors with gate electrodes deposited in three different processes, i.e. vacuum evaporation, e-gun sputtering and magnetron sputtering. The characterization is based on the analysis of capacitance – voltage characteristics. The history and theory of MOS capacitor is briefly presented, the results of C-V measurements are shown and interpreted and electrophysical parameters, such as gate dielectric thickness, flat-band voltage and density of effective charge, of the investigated structures are extracted to assess their quality and the influence of annealing.
Rodzaj dyplomu
Praca inżynierska / licencjacka
Typ dyplomu
Praca inżynierska
Autor
Sangho Lee (WEiTI) Sangho Lee Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych (WEiTI)
Tytuł w języku polskim
Wyznaczanie wybranych parametrów kondensatorów MOS z charakterystyk pojemnościowo-napięciowych
Promotor
Lidia Łukasiak (WEiTI/IMiO) Lidia Łukasiak Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki (WEiTI/IMiO)Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych (WEiTI)
Jednostka dyplomująca
Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych (WEiTI)
Jednostka prowadząca
Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki (WEiTI/IMiO)
Kierunek / specjalność studiów
, Elektronika - Elektronika Biomedyczna
Język
(en) angielski
Status pracy
Obroniona
Data obrony
21-03-2016
Data (rok) wydania
2016
Paginacja
43
Identyfikator wewnętrzny
17/I/16
Recenzenci
Lidia Łukasiak (WEiTI/IMiO) Lidia Łukasiak Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki (WEiTI/IMiO)Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych (WEiTI)
Słowa kluczowe w języku polskim
charakterystyki C-V, grubość tlenku bramkowego, kondensator MOS, ładunek efektywny, napięcie płaskich pasm
Słowa kluczowe w języku angielskim
C-V characteristics, effective charge, flat-band voltage, gate-dielectric thickness, MOS capacitor
Streszczenie w języku polskim
Pracę poświęcono elektrycznej charakteryzacji kondensatorów MOS z dwutlenkiem krzemu jako dielektrykiem bramkowym i elektrodami bramki naniesionymi trzema metodami, tj. za pomocą naparowania próżniowego, rozpylania za pomocą działa elektronowego i rozpylania magnetronowego. Podstawą charakteryzacji jest analiza charakterystyk pojemnościowo-napięciowych. W pracy krótko przedstawiono historię i teorię kondensatora MOS, zilustrowano i zinterpretowano wyniki pomiarów badanych struktur i wyznaczono parametry elektrofizyczne, np. grubość tlenku bramkowego, napięcie płaskich pasm, gęstość ładunku efektywnego, aby ocenić ich jakość oraz zbadać wpływ wygrzewania.
Plik pracy
  • Plik: 1
    Lee_Sangho_BSc_Thesis.pdf
Poproś o plik WCAG
Pola lokalne
Identyfikator pracy APD: 10704

Jednolity identyfikator zasobu
https://repo.pw.edu.pl/info/bachelor/WUTba759bcffd5e45deb2d11e40a2154f64/
URN
urn:pw-repo:WUTba759bcffd5e45deb2d11e40a2154f64

Potwierdzenie
Czy jesteś pewien?
Zgłoszenie uwag dotyczących tej strony