Knowledge base: Warsaw University of Technology

Settings and your account

Back

Extraction of Selected Parameters of MOS Capacitors from C-V Characteristics

Sangho Lee

Abstract

This work is devoted to electrical characterization of MOS capacitors with gate electrodes deposited in three different processes, i.e. vacuum evaporation, e-gun sputtering and magnetron sputtering. The characterization is based on the analysis of capacitance – voltage characteristics. The history and theory of MOS capacitor is briefly presented, the results of C-V measurements are shown and interpreted and electrophysical parameters, such as gate dielectric thickness, flat-band voltage and density of effective charge, of the investigated structures are extracted to assess their quality and the influence of annealing.
Diploma type
Engineer's / Bachelor of Science
Diploma type
Engineer's thesis
Author
Sangho Lee (FEIT) Sangho Lee,, Faculty of Electronics and Information Technology (FEIT)
Title in Polish
Wyznaczanie wybranych parametrów kondensatorów MOS z charakterystyk pojemnościowo-napięciowych
Supervisor
Lidia Łukasiak (FEIT/MO) Lidia Łukasiak,, The Institute of Microelectronics and Optoelectronics (FEIT/MO)Faculty of Electronics and Information Technology (FEIT)
Certifying unit
Faculty of Electronics and Information Technology (FEIT)
Affiliation unit
The Institute of Microelectronics and Optoelectronics (FEIT/MO)
Study subject / specialization
, Elektronika - Elektronika Biomedyczna
Language
(en) English
Status
Finished
Defense Date
21-03-2016
Issue date (year)
2016
Pages
43
Internal identifier
17/I/16
Reviewers
Lidia Łukasiak (FEIT/MO) Lidia Łukasiak,, The Institute of Microelectronics and Optoelectronics (FEIT/MO)Faculty of Electronics and Information Technology (FEIT)
Keywords in Polish
charakterystyki C-V, grubość tlenku bramkowego, kondensator MOS, ładunek efektywny, napięcie płaskich pasm
Keywords in English
C-V characteristics, effective charge, flat-band voltage, gate-dielectric thickness, MOS capacitor
Abstract in Polish
Pracę poświęcono elektrycznej charakteryzacji kondensatorów MOS z dwutlenkiem krzemu jako dielektrykiem bramkowym i elektrodami bramki naniesionymi trzema metodami, tj. za pomocą naparowania próżniowego, rozpylania za pomocą działa elektronowego i rozpylania magnetronowego. Podstawą charakteryzacji jest analiza charakterystyk pojemnościowo-napięciowych. W pracy krótko przedstawiono historię i teorię kondensatora MOS, zilustrowano i zinterpretowano wyniki pomiarów badanych struktur i wyznaczono parametry elektrofizyczne, np. grubość tlenku bramkowego, napięcie płaskich pasm, gęstość ładunku efektywnego, aby ocenić ich jakość oraz zbadać wpływ wygrzewania.
File
  • File: 1
    Lee_Sangho_BSc_Thesis.pdf
Request a WCAG compliant version
Local fields
Identyfikator pracy APD: 10704

Uniform Resource Identifier
https://repo.pw.edu.pl/info/bachelor/WUTba759bcffd5e45deb2d11e40a2154f64/
URN
urn:pw-repo:WUTba759bcffd5e45deb2d11e40a2154f64

Confirmation
Are you sure?
Report incorrect data on this page