Knowledge base: Warsaw University of Technology

Settings and your account

Back

Detection of processing related radiation damage effects by means of electrical characterization

Jakub Bogumił Kaczmarek

Abstract

Abstract Detection of processing related radiation damage effects by means of electrical characterization This dissertation aims to examine the influence of plasma processes on the functioning of semiconductor devices. As a part of this thesis, an experiment was conducted, during which structure had been exposed to plasma. In this research, there were used nMOS capacitors and nMOS transistors, both created in The Institute of Microelectronics and Optoelectronics laboratory. Structures were covered with photolithography emulsion, which was later removed during plasma ashing. Then, current-voltage and capacitance-voltage characteristics of devices before and after experiment were compared. Voltage shift of characteristics and increased number of trap states were observed. An important part of this work was designing a photolithography mask, which in the future will be used to create test structures dedicated to diagnostics with special attention to plasma processes.
Diploma type
Engineer's / Bachelor of Science
Diploma type
Engineer's thesis
Author
Jakub Bogumił Kaczmarek (FEIT) Jakub Bogumił Kaczmarek,, Faculty of Electronics and Information Technology (FEIT)
Title in Polish
Badanie efektów uszkodzeń radiacyjnych - skutków procesów trawienia plazmowego
Supervisor
Romuald Beck (FEIT/MO) Romuald Beck,, The Institute of Microelectronics and Optoelectronics (FEIT/MO)Faculty of Electronics and Information Technology (FEIT)
Certifying unit
Faculty of Electronics and Information Technology (FEIT)
Affiliation unit
The Institute of Microelectronics and Optoelectronics (FEIT/MO)
Study subject / specialization
, Elektronika (Elektronics)
Language
(pl) Polish
Status
Finished
Defense Date
30-09-2016
Issue date (year)
2016
Reviewers
Romuald Beck (FEIT/MO) Romuald Beck,, The Institute of Microelectronics and Optoelectronics (FEIT/MO)Faculty of Electronics and Information Technology (FEIT) Piotr Firek (FEIT/MO) Piotr Firek,, The Institute of Microelectronics and Optoelectronics (FEIT/MO)Faculty of Electronics and Information Technology (FEIT)
Keywords in Polish
procesy plazmowe, nMOS, charakteryzacja elektryczna, uszkodzenia radiacyjne
Keywords in English
plasma processes, nMOS, electrical characterization, radiation damage
Abstract in Polish
Streszczenie Badanie efektów uszkodzeń radiacyjnych – skutków procesów trawienia plazmowego W niniejszej pracy dyplomowej zbadany został wpływ procesów plazmowych na działanie przyrządów półprzewodnikowych. W jej ramach przeprowadzony został eksperyment, podczas którego struktury poddano działaniu plazmy. Do badań wykorzystano kondensatory nMOS i tranzystory nMOS, wytworzone w laboratorium Instytutu Mikroelektroniki i Optoelektroniki. Struktury pokryto warstwą emulsji fotolitograficznej, którą następnie usuwano przy pomocy plazmy. Porównano charakterystyki prądowo-napięciowe oraz pojemnościowo-napięciowe przyrządów przed i po eksperymencie. Zaobserwowano przesunięcie charakterystyk na osi napięć oraz zwiększenie ilości stanów pułapkowych. Ważnym elementem pracy było zaprojektowanie maski do fotolitografii, która w przyszłości posłuży do stworzenia struktur testowych dedykowanych do diagnostyki pod kątem procesów plazmowych.
File
  • File: 1
    inz.pdf
Request a WCAG compliant version
Local fields
Identyfikator pracy APD: 14217

Uniform Resource Identifier
https://repo.pw.edu.pl/info/bachelor/WUT95099eefcef942a3a7e040539fd055c0/
URN
urn:pw-repo:WUT95099eefcef942a3a7e040539fd055c0

Confirmation
Are you sure?
Report incorrect data on this page