Knowledge base: Warsaw University of Technology

Settings and your account

Back

Digital CMOS cells in the FD-SOI technology

Volodymyr Martseniuk

Abstract

Goal of this Bachelor thesis is to characterize the FD-SOI technology in the basic range for digital usage and a description of differences compared to the standard CMOS technology. The thesis is divided into two parts, the theoretical and the practical. The theoretical part describes FD-SOI technology: the differences in the structure of transistors compared to standard CMOS technology and the benefits posed by its use. An important point of the theoretical part is the description the body biasing of the transistor and its impact on selected parameters, such as propagation delay and power consumption. The practical part describes the results of the simulation of digital CMOS cells. An impact on the circuit speed of the factors such as the circuit load, dimensions of the driving transistor and body bias was tested. The results are consistent with the theory.
Diploma type
Engineer's / Bachelor of Science
Diploma type
Engineer's thesis
Author
Volodymyr Martseniuk (FEIT) Volodymyr Martseniuk,, Faculty of Electronics and Information Technology (FEIT)
Title in Polish
Cyfrowe komórki CMOS w technologii FD-SOI
Supervisor
Elżbieta Piwowarska (FEIT/MO) Elżbieta Piwowarska,, The Institute of Microelectronics and Optoelectronics (FEIT/MO)Faculty of Electronics and Information Technology (FEIT)
Certifying unit
Faculty of Electronics and Information Technology (FEIT)
Affiliation unit
The Institute of Microelectronics and Optoelectronics (FEIT/MO)
Study subject / specialization
, Elektronika (Elektronics)
Language
(pl) Polish
Status
Finished
Defense Date
23-09-2016
Issue date (year)
2016
Pages
68
Internal identifier
29/I/16
Reviewers
Elżbieta Piwowarska (FEIT/MO) Elżbieta Piwowarska,, The Institute of Microelectronics and Optoelectronics (FEIT/MO)Faculty of Electronics and Information Technology (FEIT) Lidia Łukasiak (FEIT/MO) Lidia Łukasiak,, The Institute of Microelectronics and Optoelectronics (FEIT/MO)Faculty of Electronics and Information Technology (FEIT)
Keywords in Polish
tranzystor CMOS, FD-SOI, polaryzacja podłoża
Keywords in English
CMOS transistor, FD-SOI, body bias
Abstract in Polish
Celem niniejszej pracy dyplomowej jest scharakteryzowanie technologii FD-SOI w podstawowym zakresie dla zastosowań cyfrowych oraz opis różnic w porównaniu do standardowej technologii CMOS. Praca została podzielona na dwie części, na teoretyczną oraz praktyczną. W części teoretycznej została opisana technologia FD-SOI: różnice w budowie tranzystorów w porównaniu do standardowych CMOS oraz korzyści jakie niesie jej wykorzystanie. Ważnym punktem części teoretycznej jest opis polaryzacji podłoża tranzystora i jego wpływ na wybrane parametry, takie jak czas propagacji lub pobór mocy. W części praktycznej zostały opisane wyniki przeprowadzonych symulacji bramek cyfrowych CMOS. Badany był wpływ na szybkość działania układów takich czynników jak obciążenie układu, wymiary tranzystora oraz polaryzacja podłoża. Uzyskane zależności są zgodne z teorią.
File
  • File: 1
    Praca_inż_Volodymyr_Martseniuk.pdf
Request a WCAG compliant version
Local fields
Identyfikator pracy APD: 14019

Uniform Resource Identifier
https://repo.pw.edu.pl/info/bachelor/WUT7ff95c5f6de245408302856981f8525b/
URN
urn:pw-repo:WUT7ff95c5f6de245408302856981f8525b

Confirmation
Are you sure?
Report incorrect data on this page