Baza wiedzy: Politechnika Warszawska

Ustawienia i Twoje konto

Powrót

Wzmacniacz EEG z wejściem na parowanych technologicznie niskoszumnych tranzystorach polowych

Renata Maria Plucińska

Abstract

-
Rodzaj dyplomu
Praca inżynierska / licencjacka
Typ dyplomu
Praca inżynierska
Autor
Renata Maria Plucińska (WM) Renata Maria Plucińska Wydział Mechatroniki (WM)
Tytuł w języku polskim
Wzmacniacz EEG z wejściem na parowanych technologicznie niskoszumnych tranzystorach polowych
Promotor
Tadeusz Pałko (WM/IMIB) Tadeusz Pałko Instytut Metrologii i Inżynierii Biomedycznej (WM/IMIB)Wydział Mechatroniki (WM)
Jednostka dyplomująca
Wydział Mechatroniki (WM)
Jednostka prowadząca
Instytut Metrologii i Inżynierii Biomedycznej (WM/IMIB)
Kierunek / specjalność studiów
, Inżynieria Biomedyczna (Biomedical Engineering)
Język
(pl) polski
Status pracy
Obroniona
Data obrony
15-02-2016
Data (rok) wydania
2016
Recenzenci
Szymon Cygan (WM/IMIB) Szymon Cygan Instytut Metrologii i Inżynierii Biomedycznej (WM/IMIB)Wydział Mechatroniki (WM)
Słowa kluczowe w języku polskim
-
Słowa kluczowe w języku angielskim
-
Streszczenie w języku polskim
-
Plik pracy
  • Plik: 1
    Renata_Plucińska_Praca_Dyplomowa.PDF
Poproś o plik WCAG
Pola lokalne
Identyfikator pracy APD: 9945

Jednolity identyfikator zasobu
https://repo.pw.edu.pl/info/bachelor/WUT43941f8c6df84c109d434766bdc08795/
URN
urn:pw-repo:WUT43941f8c6df84c109d434766bdc08795

Potwierdzenie
Czy jesteś pewien?
Zgłoszenie uwag dotyczących tej strony