Wpływ parametrów pułapek powierzchniowych na charakterystyki admitancyjne tunelowych struktur MIS (metal-izolator-półprzewodnik)

Jakub Maciej Jasiński , Andrzej Igor Mazurak , Bogdan Majkusiak

Abstract

MN-p-15:Wpływ pułapek powierzchniowych na charakterystyki admitancyjne struktury MIS jest kwestią znaną i szeroko dyskutowaną w krajowej oraz międzynarodowej literaturze naukowej np. [1] i [2]. Obecność aktywnych elektrycznie powierzchniowych stanów pułapkowych niekorzystnie oddziałuje na szereg właściwości przyrządów MIS i FET. Powodują one m.in.: zwiększenie prądu upływu złącza dren-podłoże, zmniejszenie ruchliwości nośników w kanale tranzystora, wzrost napięcia progowego, zmniejszenie nachylenia charakterystyki w zakresie podprogowym (ang. subtreshold swing) czy generację szumów telegraficznych RTS (ang. Random Telegraph Signals). W przypadku upływnych struktur MIS obecność pułapek może decydować o tym czy półprzewodnik w obszarze przypowierzchniowym przechodzi ze stanu zubożenia do inwersji, czy do głębokiego zubożenia, pozostając tym samym w stanie silnej nierównowagi termodynamicznej. W niniejszej pracy przeanalizowano wpływ zarówno gęstości pułapek powierzchniowych jak i grubości dielektryka bramkowego na zachowanie struktury MIS w zakresie napięć bramki odpowiadających stanowi inwersji w półprzewodniku. Zaprezentowano wnioski dotyczące zakresów zmienności wspomnianych parametrów (Nit, tOX) skutkujących równowagową bądź nierównowagową pracą przyrządu. Analizę przeprowadzono dla dielektryka bramkowego wykonanego z dwutlenku krzemu oraz wybranych materiałów o dużej przenikalności elektrycznej.
Author Jakub Maciej Jasiński IMiO
Jakub Maciej Jasiński,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Andrzej Igor Mazurak IMiO
Andrzej Igor Mazurak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Bogdan Majkusiak IMiO
Bogdan Majkusiak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Pages1-2
Publication size in sheets0.3
Book Wiśniowski Piotr (eds.): Materiały Konferencyjne: XII Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2016, vol. PenDrive, 2016, Katedra Elektroniki, Wydział Informatyki Elektroniki i Telekomunikacji Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica, 226 p.
Keywords in Polishcharakteryzacja admitancyjna, pułapki powierzchniowe, tunelowanie
projectNanophotonics with metal – group-IV-semiconductor nanocomposites: From single nanoobjects to functional ensembles (NaMSeN). Project leader: Beck Romuald, , Phone: (+48) 22 234 75 34, start date 01-02-2016, planned end date 31-01-2019, V4-Japan/01/NaMSeN/02/2015, Implemented
WEiTI Projects financed by NCRD [Projekty finansowane przez NCBiR (NCBR)]
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 15.0, 27-03-2017, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 27-03-2017, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*0
Cite
Share Share

Get link to the record
msginfo.png


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back