Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN

A. Taube , Jan Szmidt , Anna Piotrowska , Mariusz Sochacki , Eliana Kamińska

Abstract

The article presents the results of modeling and simulation of normally- off AlGaN/GaN HEMT transistor with p-GaN gate. The influence of the individual structure elements on the electrical parameters of the transistor, in particular the value of the threshold voltage (Vth) and the maximum drain-source current in the on-state was studied. The transistor parameters dependence of the composition of AlxGa1-xN buffer layer with low aluminum content (up to 10%), and the composition and thickness of AlxGa1-xN barrier layer was presented. It has been shown that the most preferred ratio of the threshold voltage to the maximum value of on-state current could be achived by the use of p- GaN/Al0.23Ga0.77N/GaN/ Al0.05GA0.95N heterostructure.
Author A. Taube - [Institute of Electron Technology (ITE)]
A. Taube,,
-
- Instytut Technologii Elektronowej
, Jan Szmidt (FEIT / MO)
Jan Szmidt,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Anna Piotrowska - [Institute of Electron Technology (ITE)]
Anna Piotrowska,,
-
- Instytut Technologii Elektronowej
, Mariusz Sochacki (FEIT / MO)
Mariusz Sochacki,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Eliana Kamińska - [Institute of Electron Technology (ITE)]
Eliana Kamińska,,
-
- Instytut Technologii Elektronowej
Other language title versionsModeling and simulation of normaly-off AlGaN/GaN HEMT with p-GaN gate
Journal seriesElektronika - konstrukcje, technologie, zastosowania, [Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki], ISSN 0033-2089, e-ISSN 2449-9528
Issue year2013
Vol54
No9
Pages36-39
Publication size in sheets0.5
ConferenceXII Krajowa Konferencja Elektroniki (KKE 2013), 10-06-2013 - 13-06-2013, Darłówko Wschodnie, Polska
Keywords in Polishazotek galu; HEMT; AlGaN; modelowanie
Keywords in Englishgallium nitride; HEMT; high electron mobility transistor; AlGaN; modeling
Abstract in PolishW artykule przedstawiono wyniki modelowania normalnie wyłączonego tranzystora HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN. Zbadano wpływ poszczególnych elementów konstrukcji na parametry elektryczne tranzystora, w szczególności na wartość napięcia progowego (Vth) oraz maksymalnej wartości prądu drenu w stanie włączenia tranzystora. Przedstawiono zależność parametrów tranzystora od składu warstwy buforowej AlxGa1-xN o niskiej zawartości glinu (do 10%) oraz od składu i grubości warstwy barierowej AlxGa1-xN. Wykazano, że najbardziej korzystnym stosunkiem wartości napięcia progowego do maksymalnej wartości prądu w stanie przewodzenia charakteryzuje się heterostruktura p-GaN/Al0.23Ga0.77N/GaN/ Al0.05GA0.95N.
URL http://www.sigma-not.pl/publikacja-79300-modelowanie-normalnie-wy%C5%82aczonych-tranzystor%C3%B3w-hemt-algan-gan-z-bramka-p-gan-elektronika-konstrukcje-technologie-zastosowania-2013-9.html
Languagepl polski
Score (nominal)8
Score sourcejournalList
ScoreMinisterial score = 5.0, 12-02-2020, ArticleFromJournal
Ministerial score (2013-2016) = 8.0, 12-02-2020, ArticleFromJournal
Publication indicators GS Citations = 2.0
Citation count*2 (2020-09-19)
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?