Small-signal microwave measurements and modeling of GaN FET devices manufactured by ITME

Paweł Barmuta , Arkadiusz Lewandowski , Konstanty Łukasik , Dominique M. M.-P. Schreurs , Lech Dobrzański

Abstract

We present results of small-signal measurements and modeling of GaN FET devices manufactured by Institute of Electronics Materials Technology (ITME). The devices have 500 nm gate length and 100 μm gate width and are grown on 350 μm sapphire substrate. We measured scattering parameters of the devices on-wafer in the frequency range 0.01-15 GHz, and then extracted parameters of their small-signal equivalent circuits. These results show that the devices have repeatable parameters and are capable of delivering at least 14.4 dB of unilateral gain in S-band with fmax of at least 23 GHz.
Author Paweł Barmuta (FEIT / PE)
Paweł Barmuta,,
- The Institute of Electronic Systems
, Arkadiusz Lewandowski (FEIT / PE)
Arkadiusz Lewandowski,,
- The Institute of Electronic Systems
, Konstanty Łukasik (FEIT / PE)
Konstanty Łukasik,,
- The Institute of Electronic Systems
, Dominique M. M.-P. Schreurs
Dominique M. M.-P. Schreurs,,
-
, Lech Dobrzański
Lech Dobrzański,,
-
Journal seriesPrzegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, (B 14 pkt)
Issue year2015
Vol91
No9
Pages9-12
Publication size in sheets0.5
Keywords in Polish tranzystor FET z azotku galu, pomiary małosygnałowe w.cz., identyfikacja parametrów schematu zastępczego.
Keywords in Englishgallium nitiride FET, small-signal measurements, equivalent-circuit modeling
Abstract in PolishW artykule przedstawiono wyniki małosygnałowych pomiarów w.cz. oraz modelowania tranzystorów GaN FET wyprodukowanych w Instytucie Technologii Materiałów Elektronowych (ITME). Badane tranzystory miały bramkę o długości 500 nm i szerokości 100 μm gate i zostały wyprodukowane na podłożu szafirowym o grubości 350 μm. Parametry rozproszenia tranzystorów zostały zmierzone na stacji ostrzowej w pasmie 0,01-15 GHz, a następnie na ich podstawie zostały wyznaczone parametry małosygnałowego schematu zastępczego. Otrzymane wyniki pokazują, że badane tranzystory mają powtarzalne parametry, uzyskując co najmniej 14,4 dB wzmocnienia unilateralnego w pasmie S oraz maksymalną częstotliwość generacji co najmniej 23 GHz. (Małosygnałowe pomiary w.cz. i modelowanie tranzystorów GaN FET wyprodukowanych w ITME).
DOIDOI:10.15199/48.2015.09.03
URL http://pe.org.pl/articles/2015/9/3.pdf
Languageen angielski
Score (nominal)14
ScoreMinisterial score = 14.0, 27-03-2017, ArticleFromJournal
Ministerial score (2013-2016) = 14.0, 27-03-2017, ArticleFromJournal
Citation count*1 (2018-11-15)
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back