Analiza pułapek w strukturach MIS ZrO2/SiO2/4H-SiC oraz HfO2/SiO2/4H SiC

Krystian Bogumił Król , Michał Waśkiewicz , Mariusz Sochacki , Andrzej Taube , Sylwia Gieraltowska , Łukasz Wachnicki , Marek Godlewski , Jan Szmidt

Abstract

MN-p-30: Przyrządy półprzewodnikowe typu MIS zbudowane w oparciu o podłoża SiC mają potencjalne zastosowanie we wszelkich aplikacjach, gdzie konieczne jest poprawne działanie w wysokich temperaturach, przy wysokich mocach oraz w obecności silnych żródeł promieniowania. Aby uzyskać wysokie napięcie przebicia z jednocześnie jak najcieńszą warstwą dielektryka bramkowego poszukuje się nowych materiałów o wysokiej stałej dielektrycznej (high-k). W celu otrzymania przyrządów o wysokim napięciu przebicia oraz niskim prądzie upływu ważne jest, aby zarówno w obszarze interfejsu pomiędzy podłożem SiC a materiałem dielektrycznym jak i w samym materiale dielektrycznym znajdowała się jak najmniejsza liczba centrów pułapkujących nośniki. W celu zbadania jakości warstw osadzonych na podłożu SiC wykonano kondensatory MIS, gdzie obszar izolatora składa się z dwóch warstw: tlenku termicznego SiO2 o grubości około 10nm oraz właściwej warstwy dielektryka high-k (tlenku cyrkonu oraz tlenku hafnu) o grubości około 50nm wytworzonego metodą ALD (Atomic Layer Deposition) w dwóch różnych temperaturach osadzania. Dla tak przygotowanych struktur przeprowadzono pomiary CV oraz IV a następnie na ich podstawie określono gęstość pułapek oraz inne istotne parametry otrzymanych struktur MIS.
Author Krystian Bogumił Król IMiO
Krystian Bogumił Król,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Michał Waśkiewicz IMiO
Michał Waśkiewicz,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Mariusz Sochacki IMiO
Mariusz Sochacki,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Andrzej Taube IMiO
Andrzej Taube,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Sylwia Gieraltowska
Sylwia Gieraltowska,,
-
, Łukasz Wachnicki
Łukasz Wachnicki,,
-
, Marek Godlewski
Marek Godlewski,,
-
, Jan Szmidt IMiO
Jan Szmidt,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Pages1-2
Publication size in sheets0.3
Book Wiśniowski Piotr (eds.): Materiały Konferencyjne: XII Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2016, vol. PenDrive, 2016, Katedra Elektroniki, Wydział Informatyki Elektroniki i Telekomunikacji Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica, 226 p.
Keywords in Polishtlenek cyrkonu, tlenek hafnu, węglik krzemu, ALD, pułapki
projectxxx. Project leader: Szmidt Jan, , Phone: (48 22) 234 75 99; 234 77 76, application date 31-08-2013, start date 03-06-2013, planned end date 02-06-2018, UMO-2012/06/A/ST7/00398, Implemented
WEiTI Projects financed by NSC [Projekty finansowane przez NCN]
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 15.0, 27-03-2017, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 27-03-2017, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*0
Cite
Share Share



* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back