Charakteryzacja procesu usuwania fotorezystu ArF 193nm za pomocą rodników wodoru

Arkadiusz Malinowski , Lidia Łukasiak , Daniel Tomaszewski , Andrzej Jakubowski

Abstract

MN-p-20: Pojawienie się niepożądanych efektów krótkiego kanału takich jak obniżenie bariery wywołanej drenem (ang. drain induced barrier lowering) oraz staczanie napięcia progowego (ang. Vth roll-off) wymusiło zastosowanie w produkcji wielkoseryjnej tranzystorów wielobramkowych typu FinFET. Skalowanie tranzystorów FinFET, dla kolejnych generacji technologii CMOS, wymagania pokonania szeregu wyzwań technologicznych, z których najbardziej krytyczna jest redukcja chropowatości linii (LWR) [1]. LWR prowadzi do rozrzutu parametrów elektrycznych tranzystora (Idsat, Idoff) i może ostatecznie zablokować dalszy rozwój technologii CMOS. Wynika to faktu, że LWR nie skaluje się wraz z wymiarem krytycznym (pozostaje stały), prowadząc w konsekwencji do degradacji parametrów elektrycznych tranzystora w technologii 7nm [2]. Z tego powodu konieczny jest rozwój nowych technik i procesów technologicznych mających na celu redukcję LWR. Głównym źródłem powstawania chropowatości szerokości linii (a także chropowatości powierzchni, SWR) podczas procesu wytwarzania tranzystora są wysokoenergetyczne jony mające swoje źródło w trawieniu plazmowym [3]. Najczęściej powtarzanym procesem, podczas którego tranzystor jest narażony na zniszczenia wysokoenergetycznymi jonami pochodzącymi z plazmy jest usuwanie fotorezystu. W przypadku tranzystora FinFET ma to krytyczne znaczenie, gdyż kanał jest odsłonięty na działanie wysokoenergetycznych jonów podczas procesu wytwarzania. Dlatego konieczne jest opracowanie nowych technik usuwania fotorezystu z pominięciem jonów [4].
Author Arkadiusz Malinowski IMiO
Arkadiusz Malinowski,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Lidia Łukasiak IMiO
Lidia Łukasiak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Daniel Tomaszewski
Daniel Tomaszewski,,
-
, Andrzej Jakubowski IMiO
Andrzej Jakubowski,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Pages1-2
Publication size in sheets0.3
Book Wiśniowski Piotr (eds.): Materiały Konferencyjne: XII Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2016, vol. PenDrive, 2016, Katedra Elektroniki, Wydział Informatyki Elektroniki i Telekomunikacji Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica, 226 p.
Keywords in Polishfotorezyst, fotolitografia, FinFET, rozrzuty parametrów, LWR
projectThe Development of Design, Processing and Testing Methods of the Electronic Devices and Materials for Microelectronics and Optoelectronics. Project leader: Szczepański Paweł, , Phone: (48 22) 234 58 70, start date 01-01-2015, planned end date 31-12-2015, end date 31-05-2016, IMiO/2015/STATUT/1, Implemented
WEiTI Działalność statutowa
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 15.0, 27-03-2017, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 27-03-2017, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*0
Cite
Share Share

Get link to the record
msginfo.png


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back