Wzmacniacz transkonduktancyjny w technologii FD-SOI 28 nm

Zbigniew Jaworski

Abstract

MN-p-24: W ostatnich latach opracowano nowe technologie, które mają zastąpić tradycyjny proces CMOS. Należą do nich Fin-FET oraz FD-SOI. Ten drugi typ procesu jest coraz częściej uważany za bardziej perspektywiczny. Technologia FD-SOI pozwala uzyskać układy równie szybkie co te wytwarzane w technologii Fin-FET, a jednocześnie pobierające mniej mocy. Przy czym koszty produkcji są niższe niż w przypadku technologii Fin-FET pozwalającej uzyskać układy o porównywalnych parametrach. Co więcej, przewiduje się, że przy przejściu do następnych generacji technologii Fin-FET koszty produkcji układu scalonego w przeliczeniu na jeden tranzystor będą rosły co dodatkowo podnosi atrakcyjność procesu FD-SOI. Istotną zaletą procesu FD-SOI jest możliwość wykorzystania podłoża (ang. back plane) jako drugiej bramki tranzystora (Rys.1), co pozwala łatwo konstruować układy z tranzystorów o dynamicznie modulowanym napięciu progowym, np. w celu uzyskania układów o ultra niskim podborze mocy lub wykorzystać drugą bramkę w celu aktywnej kompensacji napięcia niezrównoważenia wzmacniacza operacyjnego.
Author Zbigniew Jaworski IMiO
Zbigniew Jaworski,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Pages1-2
Publication size in sheets0.3
Book Wiśniowski Piotr (eds.): Materiały Konferencyjne: XII Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2016, vol. PenDrive, 2016, Katedra Elektroniki, Wydział Informatyki Elektroniki i Telekomunikacji Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica, 226 p.
Keywords in Polishwzmacniacz transkonduktancyjny, ASIC, FD-SOI
projectThe Development of Design, Processing and Testing Methods of the Electronic Devices and Materials for Microelectronics and Optoelectronics. Project leader: Szczepański Paweł, , Phone: (48 22) 234 58 70, start date 01-01-2015, planned end date 31-12-2015, end date 31-05-2016, IMiO/2015/STATUT/1, Implemented
WEiTI Działalność statutowa
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 15.0, 27-03-2017, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 27-03-2017, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*0 (2018-06-21)
Cite
Share Share

Get link to the record
msginfo.png


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back