Modelowanie charakterystyk admitancyjnych tranzystora MOS z ultracienkim dielektrykiem

Piotr Wiśniewski , Bogdan Majkusiak

Abstract

MN-p-17:Miniaturyzacja przyrządów półprzewodnikowych powoduje, że znaczącą rolę zaczynają odgrywać zjawiska fizyczne w przeszłości pomijalne, jak na przykład tunelowanie nośników przez warstwę dielektryka bramkowego. Grubość dielektryka bramkowego we współczesnych tranzystorach MOS już jakiś czas temu osiągnęła wartości rzędu pojedynczych nanometrów, wskutek czego prąd bramki spowodowany tunelowaniem nośników z kanału do bramki znacząco wpływa na charakterystyki tranzystora, zarówno statyczne jak i małosygnałowe. Celem pracy jest opracowanie modelu charakterystyk admitancyjnych tranzystora MOS i pokazanie wpływu prądu tunelowego na ich kształt. W pracy zamodelowano tranzystor MOS za pomocą elementów skupionych, których wartości są powiązane z przepływami prądów w strukturze dla zadanych napięć. W ramach pracy zostanie podjęta próba weryfikacji modelu z wynikami pomiarów.
Author Piotr Wiśniewski IMiO
Piotr Wiśniewski,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Bogdan Majkusiak IMiO
Bogdan Majkusiak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Pages1-2
Publication size in sheets0.3
Book Wiśniowski Piotr (eds.): Materiały Konferencyjne: XII Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2016, vol. PenDrive, 2016, Katedra Elektroniki, Wydział Informatyki Elektroniki i Telekomunikacji Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica, 226 p.
Keywords in Polishmikroelektronika, przyrządy półprzewodnikowe, tranzystor MOS, modelowanie
projectThe Development of Design, Processing and Testing Methods of the Electronic Devices and Materials for Microelectronics and Optoelectronics. Project leader: Szczepański Paweł, , Phone: (48 22) 234 58 70, start date 01-01-2015, planned end date 31-12-2015, end date 31-05-2016, IMiO/2015/STATUT/1, Implemented
WEiTI Działalność statutowa
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 15.0, 27-03-2017, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 27-03-2017, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*0
Cite
Share Share



* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back