Osadzanie i charakteryzacja cienkich warstw dielektrycznych AlOxNy

Piotr Firek , Anastasiia Veklych , Mariusz Sochacki

Abstract

In this work, the results of investigations of aluminum oxynitride (AlOxNy) dielectric thin films, deposited by reactive magnetron sputtering on silicon and silicon carbide substrates were presented. The main purpose of this work was the development of AlOxNy dielectric thin films and investigation of the influence of deposition parameters on the electrophisical parameters. The use of Taguchi’s orthogonal arrays methods to reduce the number of experiments and the optical and electrical characterization of MIS (Metal-Isolator-Semiconductor) structures on Si in the first part of the work allow the deposition process optimization. Subsequently, mentioned earlier reasons allow to prepare processes based on the SiC substrate analysis of these processes has been presented in the second part of the work.The results of this work show the opportunity of potential applications of the AlOxNy dielectric thin films as passivation layers in the production of high voltage devices.
Author Piotr Firek IMiO
Piotr Firek,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Anastasiia Veklych IMiO
Anastasiia Veklych,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Mariusz Sochacki IMiO
Mariusz Sochacki,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Other language title versionsDeposition and characterization of thin AlOxNy dielectric films
Journal seriesElektronika - konstrukcje, technologie, zastosowania, ISSN 0033-2089, e-ISSN 2449-9528
Issue year2016
Vol57
No10
Pages54-57
Publication size in sheets0.5
Keywords in Polishdielektryczne warstwy AlOxNy; kondensator MIS; reaktywne osadzanie magnetronowe; osadzanie magnetronowe; charakteryzacja elektryczna; pomiary C-V; pomiary I-V
Keywords in EnglishAlOxNy dielectric thin films; MIS structure; reactive magnetron sputtering; electrical characterization; C-V measurements; I-V measurements
Abstract in PolishW pracy przedstawiono wyniki badań warstw dielektrycznych tlenkoazotku glinu (AlOxNy), wytworzonych metodą reaktywnego osadzania magnetronowego na podłożach krzemowych oraz węgliko-krzemowych. Zbadany został wpływ parametrów technologicznych procesu na najważniejsze parametry elektrofizyczne uzyskiwanych warstw. Redukcja liczby eksperymentów przy użyciu tablic ortogonalnych Taguchi’ego oraz charakteryzacja optyczna i elektryczna struktur MIS (Metal-Isolator-Semiconductor) wytwarzanych na podłożach Si w pierwszej części pracy umożliwiły dokonanie wyboru najkorzystniejszych parametrów procesów osadzania z punktu widzenia docelowych parametrów warstwy dielektrycznej. Pozwoliło to w dalszej kolejności na realizację odpowiednich procesów osadzania na podłożach SiC, które zostały przeanalizowane w drugiej części pracy. Uzyskane wyniki badań wskazały potencjalne zastosowanie warstw dielektrycznych na bazie glinu, które mogą zostać wykorzystane jako warstwy pasywujące w przyrządach wysokonapięciowych.
DOIDOI:10.15199/13.2016.10.15
URL http://sigma-not.pl/publikacja-101668-osadzanie-i-charakteryzacja-cienkich-warstw-dielektrycznych-aloxny-elektronika-konstrukcje-technologie-zastosowania-2016-10.html
projectThe Development of Design, Processing and Testing Methods of the Electronic Devices and Materials for Microelectronics and Optoelectronics. Project leader: Szczepański Paweł, , Phone: (48 22) 234 58 70, start date 01-01-2015, planned end date 31-12-2015, end date 31-05-2016, IMiO/2015/STATUT/1, Implemented
WEiTI Działalność statutowa
Languagepl polski
Score (nominal)8
ScoreMinisterial score = 8.0, 27-03-2017, ArticleFromJournal
Ministerial score (2013-2016) = 8.0, 27-03-2017, ArticleFromJournal
Citation count*0
Cite
Share Share



* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back