Tranzystor VeSFET z niezależnie polaryzowanymi bramkami – modelowanie, właściwości i zastosowania

Andrzej Pfitzner

Abstract

MN-o-2:Niniejsza praca dotyczy wykorzystania niezależnej polaryzacji bramek tranzystora VeSFET.
Author Andrzej Pfitzner IMiO
Andrzej Pfitzner,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Pages1-2
Publication size in sheets0.3
Book Wiśniowski Piotr (eds.): Materiały Konferencyjne: XII Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2016, vol. PenDrive, 2016, Katedra Elektroniki, Wydział Informatyki Elektroniki i Telekomunikacji Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica, 226 p.
Keywords in PolishVeSFET, dwubramkowy tranzystor bezzłączowy, sterowanie napięciem progowym, redukcja upływności
projectThe Development of Design, Processing and Testing Methods of the Electronic Devices and Materials for Microelectronics and Optoelectronics. Project leader: Szczepański Paweł, , Phone: (48 22) 234 58 70, start date 01-01-2015, planned end date 31-12-2015, end date 31-05-2016, IMiO/2015/STATUT/1, Implemented
WEiTI Działalność statutowa
VESTIC – a new manufacturing technology for silicon-based monolithic integrated circuits. Project leader: Kuźmicz Wiesław, , Phone: (+48) 22 234 7146, application date 16-03-2012, start date 01-01-2012, planned end date 30-11-2015, IMiO/2012/PBS/3, Implemented
WEiTI Projects financed by NCRD [Projekty finansowane przez NCBiR (NCBR)]
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 15.0, 27-03-2017, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 27-03-2017, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*0
Cite
Share Share



* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back