Wpływ reaktywnego trawienia jonowego wspomaganego plazmą BCl3 na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC

Bartłomiej Stonio , Norbert Kwietniewski , Piotr Firek , Mateusz Słowikowski , Krystian Pavłov , Piotr Caban , Mariusz Sochacki , Jan Szmidt

Abstract

The quality of material surface after technological process is one of the most important issue, during semiconductors device manufacturing. The quality of the surface is changing depending on parameters of process that was realized. This paper presents influence of the RIE (reactive ion etching) parameters using BCl3 plasma on the 4H-SiC surface quality. After the process, the SiC surface using high resolution SEM (scanning electron microscope) was investigated. The roughness of the surface was measured using AFM (atomic force microscopy). (Investigation of reactive ion etching using BCl3 plasma on the 4H-SiC surface quality).
Author Bartłomiej Stonio (FEIT / MO | CAMT)
Bartłomiej Stonio,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Norbert Kwietniewski (FEIT / MO)
Norbert Kwietniewski,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Piotr Firek (FEIT / MO)
Piotr Firek,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Mateusz Słowikowski (CAMT | MO)
Mateusz Słowikowski,,
- The Centre for Advanced Materials and Technologies
, Krystian Pavłov (CAMT)
Krystian Pavłov,,
- The Centre for Advanced Materials and Technologies
, Piotr Caban
Piotr Caban,,
-
, Mariusz Sochacki (FEIT / MO)
Mariusz Sochacki,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Jan Szmidt (FEIT / MO)
Jan Szmidt,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Journal seriesPrzegląd Elektrotechniczny, ISSN 0033-2097, (N/A 20 pkt)
Issue year2019
No9
Pages175-177
Publication size in sheets0.3
Keywords in Polish suche trawienie, 4H-SiC, jakość powierzchni, techniki pazmowe
Keywords in Englishsilicon carbite, 4H-SiC, plasma etching, surface quality
ASJC Classification2208 Electrical and Electronic Engineering
Abstract in PolishJakość powierzchni materiałów po wykonaniu procesów technologicznych jest ważnym zagadnieniem niezbędnym do zoptymalizowania przy próbie wykonania dobrej jakości przyrzadów półprzewodnikowych. W zależnosci od parametrów procesu, jakość powierzchni się zmienia. W niniejszej pracy zaprezentowano wpływ parametrów suchego trawienia RIE (ang. reactive ion etching) wspomaganego plazmą BCl ₃ na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC. Podczas prac modyfikowano moc dostarczaną do reaktora, ciśnienie w reaktorze stosunek gazów roboczyhc oraz czas trawania procesu. Powierzchnia materiału po trawieniu została zobrazowana za pomocą wysokorozdzielczego skaningowego mikroskopu elektronowego SEM (ang. scanning electron microscope). Chropowatość została zmierzona za pomocą mikroskopu sił atomowych AFM (ang. atomic force microscope).
DOIDOI:10.15199/48.2019.09.38
URL http://pe.org.pl/articles/2019/9/38.pdf
Languagepl polski
Score (nominal)20
Score sourcejournalList
ScoreMinisterial score = 20.0, 04-02-2020, ArticleFromJournal
Publication indicators Scopus SNIP (Source Normalised Impact per Paper): 2018 = 0.434; WoS Impact Factor: 2011 = 0.244 (2)
Citation count*
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?