Wzrost kryształów SiC metodą PVT – stabilizacja politypu 4H-SiC w obecności domieszki Ce

Katarzyna Racka , Emil Tymicki , Krzysztof Grasza , B. Surma , Rafał Jakieła , M. Pisarek , Konrad Krzyżak , D. Teklińska , Jerzy Krupka

Abstract

W pracy prezentujemy wyniki badań właściwości strukturalnych i elektrycznych kryształów SiC, otrzymanych metodą PVT, wzrastających w obecności niestandardowej domieszki – ceru (1 wt.%, 2,5 wt.% oraz 5 wt.% w materiale źródłowym SiC). Można jednoznacznie stwierdzić, że domieszka ceru stabilizuje wzrost politypu 4H-SiC.
Author Katarzyna Racka
Katarzyna Racka,,
-
, Emil Tymicki (FEIT / MO)
Emil Tymicki,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Krzysztof Grasza
Krzysztof Grasza,,
-
, B. Surma
B. Surma,,
-
, Rafał Jakieła
Rafał Jakieła,,
-
, M. Pisarek
M. Pisarek,,
-
, Konrad Krzyżak
Konrad Krzyżak,,
-
, D. Teklińska
D. Teklińska,,
-
, Jerzy Krupka (FEIT / MO)
Jerzy Krupka,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Pages433-434
Book Kisiel Ryszard (eds.): XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2013, 2013, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ISBN 978-83-64102-00-4, 476 p.
URL http://elte.imio.pw.edu.pl/files/program_szczegolowy_elte2013.pdf
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 10.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?