Wytwarzanie ultracienkich warstwy krzemowych metodą PECVD i ich modyfikacja dla potrzeb nanoelektroniki i nanofotoniki

Kamil Ber , Romuald Beck

Abstract

Praca przedstawia rezultaty eksperymentalnych prac nad wykorzystaniem procesu PECVD oraz wysokotemperaturowego wygrzewania do uzyskania struktury Si-SiO2-nc Si-SiO2 o ultracienkich grubościach wszystkich warstw. Taka struktura może znaleźć zastosowanie zarówno w nanoelektronice, jak i w nanofotonice. Uzyskane rezultaty pokazują duży potencjał tkwiący w takiej metodyce
Author Kamil Ber
Kamil Ber,,
-
, Romuald Beck (FEIT / MO)
Romuald Beck,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Pages417-418
Book Kisiel Ryszard (eds.): XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2013, 2013, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ISBN 978-83-64102-00-4, 476 p.
URL http://elte.imio.pw.edu.pl/files/program_szczegolowy_elte2013.pdf
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 10.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?