Charakteryzacja ultracienkich warstw NbN i Nb(Ti)N

Paweł Klata , Marek Guziewicz , Witold Rzodkiewicz , Renata Kruszka , Jarosław Domagała , Marcin Juchniewicz , Wojciech Słysz

Abstract

W celu aplikacji w nadprzewodnikowych detektorach jednofotonowych zostały wytworzone ultracienkie (~4–7 nm) warstwy czystego NbN i azotku niobu z dodatkiem tytanu. Wykonano charakteryzację elektryczną tych warstw, zmierzono parametry nadprzewodnikowe oraz wyznaczono grubość i współczynniki załamania optycznego i ekstynkcji.
Author Paweł Klata (FEIT / MO)
Paweł Klata,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Marek Guziewicz (FEIT / MO)
Marek Guziewicz,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Witold Rzodkiewicz
Witold Rzodkiewicz,,
-
, Renata Kruszka
Renata Kruszka,,
-
, Jarosław Domagała
Jarosław Domagała,,
-
, Marcin Juchniewicz
Marcin Juchniewicz,,
-
, Wojciech Słysz
Wojciech Słysz,,
-
Pages407-408
Book Kisiel Ryszard (eds.): XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2013, 2013, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ISBN 978-83-64102-00-4, 476 p.
URL http://elte.imio.pw.edu.pl/files/program_szczegolowy_elte2013.pdf
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 10.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?