Struktura warstw C-Pd wytworzonych w procesie PVD/CVD na podłożu Si z cienką warstwą DLC

Mirosław Kozłowski , J Rymarczyk , Elżbieta Czerwosz , Kamil Sobczak , Piotr Firek

Abstract

Nanokompozytowe warstwy C-Pd można stosować jako warstwy aktywne w czujnikach wodoru i jego związków. Właściwości takiego czujnika są silnie uzależnione od struktury warstwy. W artykule przedstawiamy wyniki badań strukturalnych warstw C-Pd wytworzonych w dwuetapowym procesie PVD/CVD na poszczególnych etapach ich wytwarzania.
Author Mirosław Kozłowski
Mirosław Kozłowski,,
-
, J Rymarczyk
J Rymarczyk,,
-
, Elżbieta Czerwosz
Elżbieta Czerwosz,,
-
, Kamil Sobczak
Kamil Sobczak,,
-
, Piotr Firek (FEIT / MO)
Piotr Firek,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Pages391-392
Book Kisiel Ryszard (eds.): XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2013, 2013, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ISBN 978-83-64102-00-4, 476 p.
URL http://elte.imio.pw.edu.pl/files/program_szczegolowy_elte2013.pdf
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 10.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?