Badanie charakterystyk prądowo-napięciowych struktur tranzystorowych z podwójną barierą potencjału DB MOS

Andrzej Igor Mazurak , Dominik Tanous , Bogdan Majkusiak

Abstract

W pracy rozważono wpływ potencjału bazy – warstwy półprzewodnikowej stanowiącej studnię kwantową w strukturze DB na charakterystyki prądowo-napięciowe struktury DB MOS dla dwóch przypadków: braku rozpraszania w studni kwantowej (tunelowanie w trybie rezonansowym) i nieskoczenie wielkiej szybkości rozpraszania (tunelowanie w trybie sekwencyjnym).
Author Andrzej Igor Mazurak (FEIT / MO)
Andrzej Igor Mazurak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Dominik Tanous
Dominik Tanous,,
-
, Bogdan Majkusiak (FEIT / MO)
Bogdan Majkusiak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Pages209-210
Book Kisiel Ryszard (eds.): XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2013, 2013, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ISBN 978-83-64102-00-4, 476 p.
URL http://elte.imio.pw.edu.pl/files/program_szczegolowy_elte2013.pdf
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 10.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?