Badanie wpływu temperatury na charakterystyki elektryczne struktur metal-tlenek-pół -przewodnik z podwójną barierą potencjału (DB MOS)

Dominik Tanous , Andrzej Igor Mazurak , Bogdan Majkusiak

Abstract

W pracy przedstawiono analizę wpływu temperatury na charakterystyki elektryczne struktur metal- tlenek-półprzewodnik z podwójną barierą potencjału (DBMOS). Wyniki symulacji charakte - rystyk elektrycznych, uzyskane przy wykorzystaniu oryginalnego modelu teoretycznego, zostały porównane z wynikami pomiarów przyrządów DBMOS wykonanych w Instytucie Mikroelektroniki i Optoelektroniki.
Author Dominik Tanous
Dominik Tanous,,
-
, Andrzej Igor Mazurak (FEIT / MO)
Andrzej Igor Mazurak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Bogdan Majkusiak (FEIT / MO)
Bogdan Majkusiak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Pages167-168
Book Kisiel Ryszard (eds.): XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2013, 2013, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ISBN 978-83-64102-00-4, 476 p.
URL http://elte.imio.pw.edu.pl/files/program_szczegolowy_elte2013.pdf
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 10.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?