Uwarunkowania montażu diod SiC w oparciu o technologię srebrową

Marek Guziewicz , Ryszard Kisiel , Marcin Myśliwiec

Abstract

Praca dotyczy zastosowania technologii �lip-chip do montażu diod SiC z barierą Schottky'ego w oparciu o technikę monometaliczną Ag. Przeprowadzono testy starzeniowe w temperaturze 350°C diod wykonanych w technologii bondingu drutowego oraz �lip-chip i oceniono przydatność tych technologii.
Author Marek Guziewicz (FEIT / MO)
Marek Guziewicz,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Ryszard Kisiel (FEIT / MO)
Ryszard Kisiel,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Marcin Myśliwiec (FEIT / MO)
Marcin Myśliwiec,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Pages165-166
Book Kisiel Ryszard (eds.): XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2013, 2013, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ISBN 978-83-64102-00-4, 476 p.
URL http://elte.imio.pw.edu.pl/files/program_szczegolowy_elte2013.pdf
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 10.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?