Redukcja stanów pułapkowych w strukturze MOS 4H-SiC(0001) pod wpływem implantacji azotu – wpływ pro ilu implantacji

Krystian Bogumił Król , Mariusz Sochacki , Włodzimierz Strupiński , Marcin Turek , Jerzy Żuk , Paweł Borowicz , Henryk M. Przewłocki , Monika Kwoka , Piotr Kościelniak , Jacek Szuber , Jan Szmidt

Abstract

Praca opisuje wyniki badań nad możliwością wpły - wania na parametry elektryczne struktur MOS wykonanych na węgliku krzemu poprzez płytką implantację azotu.
Author Krystian Bogumił Król (FEIT / MO)
Krystian Bogumił Król,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Mariusz Sochacki (FEIT / MO)
Mariusz Sochacki,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Włodzimierz Strupiński
Włodzimierz Strupiński,,
-
, Marcin Turek
Marcin Turek,,
-
, Jerzy Żuk
Jerzy Żuk,,
-
, Paweł Borowicz
Paweł Borowicz,,
-
, Henryk M. Przewłocki
Henryk M. Przewłocki,,
-
, Monika Kwoka
Monika Kwoka,,
-
, Piotr Kościelniak
Piotr Kościelniak,,
-
, Jacek Szuber
Jacek Szuber,,
-
et al.`
Pages155-156
Publication size in sheets0.3
Book Kisiel Ryszard (eds.): XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2013, 2013, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ISBN 978-83-64102-00-4, 476 p.
URL http://elte.imio.pw.edu.pl/files/program_szczegolowy_elte2013.pdf
Languagepl polski
Score (nominal)15
Score sourceconferenceIndex
ScoreMinisterial score = 10.0, 26-11-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 26-11-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?