Elektrostatyczne właściwości struktury MOS z krzemowymi nanokrystlitami w tlenku bramkowym dla potrzeb fotoniki krzemowej

Jakub Walczak , Bogdan Majkusiak

Abstract

W pracy zamodelowano strukturę MOS z nanokrystalitami krzemowymi w tlenku bramkowym poprzez rozwiązanie 3 wymiarowego równania Poissona. Wyznaczono analitycznie teoretyczną zależność pojemności warstwy dielektryka bramkowego od wielkości i gęstości powierzchniowej krystalitów. Zasymulowano charakterystyki C-V i porównano je z wartościami wyznaczonymi analitycznie.
Author Jakub Walczak (FEIT / MO)
Jakub Walczak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Bogdan Majkusiak (FEIT / MO)
Bogdan Majkusiak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Pages151-152
Book Kisiel Ryszard (eds.): XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2013, 2013, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ISBN 978-83-64102-00-4, 476 p.
URL http://elte.imio.pw.edu.pl/files/program_szczegolowy_elte2013.pdf
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 10.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?