Charakteryzacja zwarć rezystywnych w komórkach standardowych CMOS dla generacji wektorów testowych

Andrzej Wielgus , Bartosz Potrykus

Abstract

Zaprezentowano rozszerzoną metodę charakteryza cji komórek standardowych CMOS pod kątem uszkodzeń wywołanych przez zwarcia. Metoda pozwala zbadać zależność zastępczej funkcji logicznej uszkodzonego układu od rezystancji zwarcia oraz wyznaczyć zbiór wektorów testowych wykrywa - jących wszystkie testowalne uszkodzenia w szerokim zakresie rezystancji zwarcia.
Author Andrzej Wielgus (FEIT / MO)
Andrzej Wielgus,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Bartosz Potrykus
Bartosz Potrykus,,
-
Pages141-142
Book Kisiel Ryszard (eds.): XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2013, 2013, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ISBN 978-83-64102-00-4, 476 p.
URL http://elte.imio.pw.edu.pl/files/program_szczegolowy_elte2013.pdf
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 10.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?