Ultra-płytka implantacja fluoru z plazmy w.cz. jako metoda poprawy właściwości elektro-fizycznych struktur MOS (Al/HfOx/Si)

Małgorzata Kalisz , Robert Paweł Mroczyński , Magdalena Szymańska

Abstract

Analiza charakterystyk C-V oraz I-V otrzymanych struktur testowych MOS (Al/HfOx/Si) z �luorem na interfejsie wykaza��a, ��e charakteryzuj�� si�� one mniejszymi warto��ciami UFB oraz Qeff w por��wnaniu do struktur referencyjnych oraz wy��szymi napi��ciami przebicia.
Author Małgorzata Kalisz - Instytut Transportu Samochodowego
Małgorzata Kalisz,,
-
, Robert Paweł Mroczyński (FEIT / MO)
Robert Paweł Mroczyński,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Magdalena Szymańska (FACME)
Magdalena Szymańska,,
- Faculty of Automotive and Construction Machinery Engineering
Pages133-134
Book Kisiel Ryszard (eds.): XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2013, 2013, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ISBN 978-83-64102-00-4, 476 p.
URL http://elte.imio.pw.edu.pl/files/program_szczegolowy_elte2013.pdf
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 10.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?