Wpływ sposobu wyznaczania rezystancji szeregowej na ekstrakcję ruchliwości w tranzystorach MOS z kanałem SiGe

Jakub Maciej Jasiński , Lidia Łukasiak , Andrzej Jakubowski , Catrina Casteleiro , Terry Whall , Evan H. Parker , Maxim Myronov , David R. Leadley

Abstract

W pracy dokonano elektrycznej charakteryzacji tran zystorów z kanałem SiGe i przeanalizowano różne metody wyznaczania rezystancji szeregowej oraz zbadano ich wpływ na wartości ekstraho - wanej ruchliwości.
Author Jakub Maciej Jasiński (FEIT / MO)
Jakub Maciej Jasiński,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Lidia Łukasiak (FEIT / MO)
Lidia Łukasiak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Andrzej Jakubowski (FEIT / MO)
Andrzej Jakubowski,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Catrina Casteleiro
Catrina Casteleiro,,
-
, Terry Whall
Terry Whall,,
-
, Evan H. Parker
Evan H. Parker,,
-
, Maxim Myronov
Maxim Myronov,,
-
, David R. Leadley
David R. Leadley,,
-
Pages145-146
Book Kisiel Ryszard (eds.): XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2013, 2013, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ISBN 978-83-64102-00-4, 476 p.
URL http://elte.imio.pw.edu.pl/files/program_szczegolowy_elte2013.pdf
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 10.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?