Elektryczna charakteryzacja tranzystorów w MOS z kanałem z azotku galu

Jakub Maciej Jasiński , Lidia Łukasiak , Andrzej Jakubowski , Do-Kywn Kim , Dong-Seok KIM , Sung-Ho Halm , Jung-Hee Lee

Abstract

W pracy przedstawiono wyniki elektrycznej charakteryzacji tranzystor��w z kana��em z azotku galu. Przeprowadzono ekstrakcj�� elektro�izycznych parametr��w badanych struktur (np. napi��cie progowe, nachylenie charakterystyk w zakresie podprogowym, ruchliwo����) pod k��tem oceny jako��ci procesu technologicznego.
Author Jakub Maciej Jasiński (FEIT / MO)
Jakub Maciej Jasiński,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Lidia Łukasiak (FEIT / MO)
Lidia Łukasiak,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Andrzej Jakubowski (FEIT / MO)
Andrzej Jakubowski,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Do-Kywn Kim
Do-Kywn Kim,,
-
, Dong-Seok KIM
Dong-Seok KIM,,
-
, Sung-Ho Halm
Sung-Ho Halm,,
-
, Jung-Hee Lee
Jung-Hee Lee,,
-
Pages143-144
Book Kisiel Ryszard (eds.): XI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2013, 2013, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ISBN 978-83-64102-00-4, 476 p.
URL http://elte.imio.pw.edu.pl/files/program_szczegolowy_elte2013.pdf
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 10.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 25-09-2019, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?