Charakteryzacja komórek standardowych CMOS pod kątem rozwarć dla generacji wektorów testowych

Andrzej Wielgus , Witold Pleskacz

Abstract

MN-p-25: Najczęstszymi przyczynami uszkodzeń w cyfrowych układach cyfrowych CMOS są zwarcia i rozwarcia ścieżek przewodzących spowodowane przez defekty punktowe. Metodę charakteryzacji biblioteki komórek standardowych CMOS pod kątem uszkodzeń wywołanych przez zwarcia zaproponowano we wcześniejszych pracach [1]-[3]. W niniejszej pracy przedstawiono metodę charakteryzacji komórek dla celów testowania napięciowego uzupełnioną o analizę komórek standardowych pod kątem uszkodzeń wywołanych przez rozwarcia obszarów przewodzących i kontaktów.
Author Andrzej Wielgus IMiO
Andrzej Wielgus,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Witold Pleskacz IMiO
Witold Pleskacz,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Pages1-2
Publication size in sheets0.3
Book Wiśniowski Piotr (eds.): Materiały Konferencyjne: XII Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa, ELTE '2016, vol. PenDrive, 2016, Katedra Elektroniki, Wydział Informatyki Elektroniki i Telekomunikacji Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica, 226 p.
Keywords in Polishrozwarcie, obszary krytyczne, wektory testowe
projectThe Development of Design, Processing and Testing Methods of the Electronic Devices and Materials for Microelectronics and Optoelectronics. Project leader: Szczepański Paweł, , Phone: (48 22) 234 58 70, start date 01-01-2015, planned end date 31-12-2015, end date 31-05-2016, IMiO/2015/STATUT/1, Implemented
WEiTI Działalność statutowa
Languagepl polski
Score (nominal)15
ScoreMinisterial score = 15.0, 27-03-2017, BookChapterMatConfByIndicator
Ministerial score (2013-2016) = 15.0, 27-03-2017, BookChapterMatConfByIndicator
Citation count*0 (2018-06-28)
Cite
Share Share

Get link to the record
msginfo.png


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back