Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

Mariusz Sochacki , Norbert Kwietniewski , A. Taube , Krystian Bogumił Król , Jan Szmidt

Abstract

This article presents an analysis of the impact of design and technological factors (photolitography accuracy, p-n junction doping depth and profile, dielectric/semiconductor interface parameters, gate dielectric properties) that are crucial in terms of electrical parameters of power MOSFETs like breakdown voltage, threshold voltage, maximum drain current, leakage current at reverse bias).
Author Mariusz Sochacki (FEIT / MO)
Mariusz Sochacki,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Norbert Kwietniewski (FEIT / MO)
Norbert Kwietniewski,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, A. Taube - Institute of Electron Technology (ITE)
A. Taube,,
-
, Krystian Bogumił Król (FEIT / MO)
Krystian Bogumił Król,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
, Jan Szmidt (FEIT / MO)
Jan Szmidt,,
- The Institute of Microelectronics and Optoelectronics
Other language title versionsCritical design and technological parameters and their impact on the electrical characteristics of power SiC MOSFETs
Journal seriesElektronika - konstrukcje, technologie, zastosowania, [Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki], ISSN 0033-2089, e-ISSN 2449-9528
Issue year2013
Vol54
No9
Pages40-43
Publication size in sheets0.5
ConferenceXII Krajowa Konferencja Elektroniki (KKE 2013), 10-06-2013 - 13-06-2013, Darłówko Wschodnie, Polska
Keywords in PolishMOSFET; DIMOS; ACCUFET; węglik krzemu; SiC
Keywords in EnglishMOSFET; DIMOS; ACCUFET; silicon carbide; SiC
Abstract in PolishW artykule zaprezentowano analizę wpływu czynników konstrukcyjno- technologicznych (dokładność fotolitografii, głębokość i profil domieszkowania złączy p-n, parametry warstwy przejściowej dielektryk/półprzewodnik, właściwości użytego dielektryka), które są krytyczne z punktu widzenia parametrów elektrycznych tranzystorów MOS mocy (napięcie przebicia, napięcie progowe, maksymalny prąd drenu, prąd upływu przy polaryzacji zaporowej).
URL https://www.sigma-not.pl/publikacja-79301-krytyczne-parametry-konstrukcyjno-technologiczne-i-ich-wp%C5%82yw-na-parametry-elektryczne-tranzystor%C3%B3w-mocy-mosfet-sic-elektronika-konstrukcje-technologie-zastosowania-2013-9.html
Languagepl polski
Score (nominal)8
ScoreMinisterial score = 5.0, 04-09-2019, ArticleFromJournal
Ministerial score (2013-2016) = 8.0, 04-09-2019, ArticleFromJournal
Citation count*
Cite
Share Share

Get link to the record


* presented citation count is obtained through Internet information analysis and it is close to the number calculated by the Publish or Perish system.
Back
Confirmation
Are you sure?